安建半導(dǎo)體推出第二代30V極低電阻DFN系列MOSFET，共創(chuàng)高頻高效新紀(jì)元安建半導(dǎo)體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，融合國內(nèi)尖端技術(shù)與設(shè)計(jì)，開創(chuàng)功率密度新高度，在開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵參數(shù)方面達(dá)到···

安建半導(dǎo)體(JSAB) 繼年初推出業(yè)界領(lǐng)先的150V SGT MOSFET 產(chǎn)品平臺，同年已將中高壓平臺擴(kuò)充至120V 及200V，平臺沿用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作。年初推···

近年來，工業(yè)及消費(fèi)市場對于系統(tǒng)的要求不斷提高，為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。安建半導(dǎo)體為滿足不斷發(fā)展及增長的解決方案需求，除了在傳統(tǒng)直插式封裝，如TO-2···

產(chǎn)品介紹安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價(jià)比高。產(chǎn)品特點(diǎn) ● 開關(guān)速度快 ●柵極···

安建半導(dǎo)體(JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，平臺采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高應(yīng)用系統(tǒng)的整體效率，更能降低能···

2023年12月27日，深圳市中小企業(yè)服務(wù)局公布了《2023年深圳市專精特新中小企業(yè)公示名單》，經(jīng)過層層嚴(yán)格審查，安建科技成功入選。 “專精特新”中小企業(yè)是指具備專業(yè)化、精細(xì)化、特色化、新穎化優(yōu)勢的中小企業(yè)，“專精···

新品推介750V-340A IGBTJSAB正式推出兼容國外一流品牌的TPAK封裝的750V-340A IGBT，產(chǎn)品外觀、內(nèi)部電路拓?fù)浼胺庋b外形尺寸如下圖所示：產(chǎn)品特點(diǎn)● 第7代溝槽-場截止設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)更低的VCE(sat)● 低開關(guān)損耗● 最高結(jié)溫···

新品推介1200V-900A 模塊JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EconoDual3和62mm封裝的1200V-900A模塊，產(chǎn)品型號為 JGAQ900F120DM和JG1G900F120DM。產(chǎn)品采用JSABAQ-Pack和1G-Pack封裝，產(chǎn)品外觀、內(nèi)部電路拓?fù)湟约胺庋b外形···