安建科技有限公司 (JSAB Technologies Limited) 是一家專門從事功率半導體元器件產(chǎn)品設(shè)計、研發(fā)及銷售的高科技公司, 擁有由香港科技大學教授、大中華區(qū)唯一一位從事硅基功率半導體研究的美國電子電氣工程師學會院士(IEEE Fellow)所領(lǐng)銜的業(yè)內(nèi)頂尖技術(shù)團隊,在2020年中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽中榮獲全國賽優(yōu)秀企業(yè)獎、廣東省分賽區(qū)“新一代信息技術(shù)”產(chǎn)業(yè)大類第四名。
安建科技現(xiàn)有低電壓的SGT-MOSFET(分裂柵金屬氧化物場效應(yīng)晶體管)、高電壓的SJ-MOSFET(超結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)晶體管)、Field Stop Trench IGBT(絕緣柵雙極晶體管)三條成熟的產(chǎn)品線。高電壓產(chǎn)品主要應(yīng)用于高鐵、電動汽車、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域;低電壓產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G基站、電能轉(zhuǎn)換、綠色家電、消費電子等領(lǐng)域,安建科技的功率芯片得到了國內(nèi)多家應(yīng)用客戶的認可,目前已經(jīng)在眾多領(lǐng)域穩(wěn)定運行。
多年來,安建致力于成為大中華區(qū)技術(shù)上最頂尖的功率半導體元器件企業(yè),專注功率半導體器件的研發(fā)設(shè)計銷售,在堅持為社會創(chuàng)造長期價值的同時,安建也堅定不移地追求增長,努力不懈地推動創(chuàng)新,積極地應(yīng)對每一個挑戰(zhàn)。
創(chuàng)始人背景:
加拿大多倫多大學電機工程學學士、碩士及博士
香港科技大學電子與計算機工程學系教授
美國電子電氣工程師學會院士(IEEE Fellow)
主要榮譽:
2012年被授予美國電子電氣工程師學會院士(IEEE Fellow),是大中華區(qū)唯一從事硅基功率半導體行業(yè)的IEEE Fellow。
2015年榮選業(yè)內(nèi)最頂級功率半導體峰會-國際功率半導體器件與功率集成電路會議 (ISPSD) 主席,是該峰會自舉辦以來的第一位來自大中華地區(qū)的主席。
2020年榮選國際功率半導體器件與功率集成電路會議 (ISPSD) 全球名人堂,是本次入選該名人堂的僅有的三位業(yè)內(nèi)最頂尖學者之一。(另外兩位學者分別為英飛凌IGBT研發(fā)總監(jiān)Thomas Laska博士,與科銳 (Cree) 創(chuàng)始人John Palmour博士)。