安建半導(dǎo)體推出第二代30V極低電阻DFN系列MOSFET，共創(chuàng)高頻高效新紀元安建半導(dǎo)體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，融合國內(nèi)尖端技術(shù)與設(shè)計，開創(chuàng)功率密度新高度，在開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵參數(shù)方面達到···

安建半導(dǎo)體(JSAB) 繼年初推出業(yè)界領(lǐng)先的150V SGT MOSFET 產(chǎn)品平臺，同年已將中高壓平臺擴充至120V 及200V，平臺沿用先進的技術(shù)和設(shè)計，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，實現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作。年初推···

近年來，工業(yè)及消費市場對于系統(tǒng)的要求不斷提高，為達到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當著非常重要的角色。安建半導(dǎo)體為滿足不斷發(fā)展及增長的解決方案需求，除了在傳統(tǒng)直插式封裝，如TO-2···

產(chǎn)品介紹安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設(shè)計確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價比高。產(chǎn)品特點 ● 開關(guān)速度快 ●柵極···

安建半導(dǎo)體(JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，平臺采用先進的技術(shù)和設(shè)計，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高應(yīng)用系統(tǒng)的整體效率，更能降低能···

新品推介750V-340A IGBTJSAB正式推出兼容國外一流品牌的TPAK封裝的750V-340A IGBT，產(chǎn)品外觀、內(nèi)部電路拓撲及封裝外形尺寸如下圖所示：產(chǎn)品特點● 第7代溝槽-場截止設(shè)計，實現(xiàn)更低的VCE(sat)● 低開關(guān)損耗● 最高結(jié)溫···

新品推介1200V-900A 模塊JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EconoDual3和62mm封裝的1200V-900A模塊，產(chǎn)品型號為 JGAQ900F120DM和JG1G900F120DM。產(chǎn)品采用JSABAQ-Pack和1G-Pack封裝，產(chǎn)品外觀、內(nèi)部電路拓撲以及封裝外形···

新品推介1000V-600A ANPC 三電平模塊JSAB正式推出兼容國外一流品牌的Flow S3封裝的1000V-600A模塊，產(chǎn)品型號為 JG2R600AL100HG_B3和JG2R600AL100HG_B4。產(chǎn)品采用JSAB 2R-Pack封裝，產(chǎn)品外觀、內(nèi)部電路拓撲以及POD如下···