新品推介
我們為高端芯片國產化賦能
安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產品的卓越性能和可靠性，在國內領先的碳化硅晶圓代工廠流片，產能充裕，供應穩定，性價比高。
● 開關速度快
● 柵極電荷低
● 雪崩耐量高
● 短路能力強
● 可靠性高
● 電動汽車
● 太陽能逆變器
● 儲能系統
● 不間斷電源
安建半導體對此款自研SiC MOSFET產品做了動靜態、短路、雪崩耐量（UIS），可靠性等測試，性能參數與國際競品相當。雪崩耐量為國際知名品牌同規格產品的200%，在短路時間3us下可安全關斷800A電流。此外，該款芯片已通過1000h可靠性考核。
靜態輸出特性：
開關波形：
|
|
UIS波形：
安建半導體1200V-17mΩ SiC MOSFET具備如下優異性能：
● 通過設計上的優化，確保具有穩定的擊穿特性，增強UIS能力。
● 在短路時間3us下安全關斷800A電流。
● 已通過國際最高標準的1000小時HTRB、HTGB、HV-H3TRB等可靠性考核。
安建半導體即將推出兼容國際一線品牌封裝的SiC模塊，敬請期待！
安建半導體致力于為客戶提供國際一流、國內領先的功率半導體器件，如需樣品，歡迎與我們聯系 sales@jsab-tech.com 。
