「安建半導(dǎo)體」獲1.8億元B輪融資，抓住半導(dǎo)體功率器件的中國機(jī)遇

文 | 鄭燦城

編輯 | 高雅

36氪獲悉，半導(dǎo)體功率器件廠商「安建半導(dǎo)體」已于近日獲1.8億元B輪融資，本輪融資由超越摩爾投資領(lǐng)投，弘鼎資本、龍鼎投資、聯(lián)和資本、君盛投資和金建誠投資跟投。募集資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產(chǎn)品開發(fā)、第三代半導(dǎo)體SiC器件開發(fā)和IGBT模塊封測(cè)廠建設(shè)。

半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)是兼具存量和增量的中國機(jī)遇。存量的機(jī)遇源于中國市場(chǎng)的需求量并不能靠自身滿足，IHS（數(shù)據(jù)提供商埃信華邁）數(shù)據(jù)顯示，中國市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體功率器件的需求量占據(jù)了全球35%，然而位列全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)前八名的公司中，并無一家中國企業(yè)，這八家的市場(chǎng)份額占比達(dá)55.4%。

其次，這是一個(gè)增長(zhǎng)型市場(chǎng)。2018年，全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模約為391億美元，這一數(shù)字預(yù)計(jì)到2021年可達(dá)441億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為4.1%。該預(yù)測(cè)中，中國市場(chǎng)的需求量也將隨整體市場(chǎng)一起擴(kuò)大，預(yù)計(jì)2021年中國市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)159億元。

「安建半導(dǎo)體」對(duì)標(biāo)的正是全球前八名的功率半導(dǎo)體企業(yè)，其專注于半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是賦能高端芯片國產(chǎn)化的企業(yè)之一。

功率半導(dǎo)體是電力設(shè)備的核心器件，其主要作用是為電力系統(tǒng)提供變頻、變壓、變流、電機(jī)推動(dòng)和功率管理等功能。因此，所有的電力設(shè)備都需要用到半導(dǎo)體功率器件。目前，MOS管和IGBT是應(yīng)用最廣泛的功率器件，占比90%以上。這兩者也是「安建半導(dǎo)體」的主要業(yè)務(wù)。

其中，MOS管是基礎(chǔ)功率器件的一種升級(jí)形式。最早的功率器件是三極管，原理是當(dāng)基極與發(fā)射極為正時(shí)導(dǎo)通，反之截止1；MOS管是人們?cè)谌龢O管基礎(chǔ)上的進(jìn)一步發(fā)明，其特殊的結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)高開關(guān)頻率，但擊穿電壓2高會(huì)增加阻抗，造成較大的損耗；

IGBT則更進(jìn)一步的中和了MOS管和雙極管的性能特性，其可使用的功率范圍更寬，可以在MOS管不適用的大電壓和大電流場(chǎng)景中使用，但在頻率上略有犧牲。

資料來源：方正證券研究所

「安建半導(dǎo)體」成立于2016年，彼時(shí)就選擇了一條由難到易的技術(shù)路線。低壓MOS管中，電壓越低制作難度越大3，「安建半導(dǎo)體」第一款產(chǎn)品就是25V的低壓MOS，難度最高。

此外，在IGBT領(lǐng)域，「安建半導(dǎo)體」也選擇以國內(nèi)最頂尖的技術(shù)節(jié)點(diǎn)切入?。

「安建半導(dǎo)體」創(chuàng)始人單建安告訴36氪，這樣的選擇是因?yàn)椤赴步ò雽?dǎo)體」成立之初資金并不充裕，這款產(chǎn)品向市場(chǎng)展示了「安建半導(dǎo)體」的技術(shù)實(shí)力。彼時(shí)和「安建半導(dǎo)體」合作的晶圓廠盡管還未達(dá)到世界最頂尖的水平，但「安建半導(dǎo)體」憑借制造端較低的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，產(chǎn)品性能就能夠媲美國外知名芯片大廠。

 產(chǎn)品推出以后，很多大型企業(yè)選擇將「安建半導(dǎo)體」作為合作伙伴，產(chǎn)品力也為「安建半導(dǎo)體」后續(xù)融資打下了基礎(chǔ)。

本輪投資方廈門聯(lián)和資本投資總監(jiān)葉振彪就表示，功率器件是電力電子設(shè)備的心臟，單建安教授組建的安建團(tuán)隊(duì)是國內(nèi)少數(shù)從先進(jìn)功率芯片進(jìn)行正向研發(fā)，從而涉足功率器件以及功率模組業(yè)務(wù)的優(yōu)秀公司。

目前「安建半導(dǎo)體」的產(chǎn)品線已經(jīng)涵蓋大部分MOS管和IGBT產(chǎn)品，其中已有三條產(chǎn)品線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，分別是低電壓的SGT-MOS管（屏蔽柵金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、高電壓的SJ-MOS管（超結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、Field Stop Trench IGBT（場(chǎng)截止溝槽型絕緣柵雙極晶體管），產(chǎn)品均具有高性能高可靠性。

未來，「安建半導(dǎo)體」還將針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景還將繼續(xù)開發(fā)不同性能和不同規(guī)格的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)功率器件所有電壓和電流全覆蓋，完成做全系列高低壓MOS管和IGBT產(chǎn)品的目標(biāo)。

「安建半導(dǎo)體」供圖

同時(shí)，「安建半導(dǎo)體」還計(jì)劃推出車規(guī)級(jí)產(chǎn)品。「安建半導(dǎo)體」A輪投資方海闊天空創(chuàng)投聯(lián)合創(chuàng)辦人及管理合伙人文立表示，IGBT是數(shù)百億美元級(jí)別的賽道，近幾年多在電車、儲(chǔ)能、光伏、高壓電等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

這些領(lǐng)域恰好也是近幾年逐漸成為風(fēng)口的新物種，因此該領(lǐng)域功率器件還未實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化。尤其是汽車領(lǐng)域?qū)Π踩缘淖非筝^高，也就同樣要求功率器件具有非常高的可靠性。單建安向36氪透露，「安建半導(dǎo)體」正在與上海汽車商談戰(zhàn)略合作，研發(fā)應(yīng)用于其新能車的IGBT產(chǎn)品。

另一探索點(diǎn)是朝著第三代半導(dǎo)體的趨勢(shì)做研發(fā)。目前，傳統(tǒng)半導(dǎo)體的襯底多以硅為主，而第三代SiC半導(dǎo)體是將碳化硅取代硅作為襯底，這可以使新一代半導(dǎo)體更薄、更輕、更小巧，并能夠在大電壓大電流場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)更高性能。「安建半導(dǎo)體」現(xiàn)有產(chǎn)品仍是以硅為襯底，未來將會(huì)用碳化硅材料開發(fā)更多的功率器件產(chǎn)品。

此外，「安建半導(dǎo)體」還希望打通制造環(huán)節(jié)。全球主流廠商都是IDM模式（設(shè)計(jì)制造一體化），其優(yōu)勢(shì)是設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)能夠更好的配合。而中國鮮有IDM企業(yè)，「安建半導(dǎo)體」計(jì)劃在未來組建模塊制造廠，再和晶圓制造廠做綁定合作，這是一種虛擬IDM模式?。

團(tuán)隊(duì)方面，創(chuàng)始人單建安本碩博畢業(yè)于加拿大多倫多大學(xué)電氣工程專業(yè)，1988年博士畢業(yè)后任美國紐約飛利浦研究所高級(jí)研究員，1991年回國一同創(chuàng)辦香港科技大學(xué)，任電子與計(jì)算機(jī)工程系教授。在港科大任教期間，單建安一直在做功率器件的技術(shù)儲(chǔ)備和人才培訓(xùn)，2015年受邀參與中國香港上市公司華虹半導(dǎo)體重要會(huì)議，會(huì)議決定雙方綁定合作，次年正式成立「安建半導(dǎo)體」研發(fā)半導(dǎo)體功率器件。

談及初心，單建安向36氪表示，“自就讀加拿大多倫多大學(xué)以來，在國外共生活了17年，但自始至終沒有在異國常住的計(jì)劃，當(dāng)時(shí)看到中美在這個(gè)領(lǐng)域的差距，無時(shí)無刻不想著早日回國為祖國半導(dǎo)體事業(yè)貢獻(xiàn)自己的力量。”

最后作為補(bǔ)充，我們對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景中不同功率器件和不同封裝技術(shù)進(jìn)行說明。按照功率高低進(jìn)行劃分，低電流低功率場(chǎng)景中通常封裝到單管，而在高電流高功率場(chǎng)景中，單管往往是不足以支撐的，所以需要將多個(gè)功率器件封裝到一個(gè)模塊里。MOS管和IGBT的區(qū)別也體現(xiàn)于此：MOS管由于其自身阻抗大的特點(diǎn)，天然不適用于大電流場(chǎng)景，因此MOS管多為單管，而IGBT既能封裝到單管也能封裝到IGBT模塊。

「安建半導(dǎo)體」IGBT單管（左）、IGBT模塊（右）

「安建半導(dǎo)體」投資方觀點(diǎn)：

超越摩爾董事總經(jīng)理史晶星博士表示，功率器件是中國最大概率可以實(shí)現(xiàn)彎道超車的賽道，也一直是超越摩爾的重點(diǎn)布局方向之一。

弘鼎創(chuàng)投資深經(jīng)理潘本閎表示，目前，安建半導(dǎo)體產(chǎn)品主要面向工業(yè)場(chǎng)景，這一領(lǐng)域的高電壓大電流產(chǎn)品以國外為主，在高性能領(lǐng)域，中國企業(yè)面臨很高的進(jìn)入壁壘。安建半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)有非常深厚的技術(shù)底蘊(yùn)，產(chǎn)品已經(jīng)多方認(rèn)證，看好安建在該領(lǐng)域的國產(chǎn)化替代空間。另外，當(dāng)下新能車逐步替代燃油車，電的供應(yīng)成為下一個(gè)要考慮的問題，以優(yōu)化用電的方式提高效能將成為行業(yè)趨勢(shì)，未來該領(lǐng)域?qū)⒊蔀榘步ò雽?dǎo)體的一大增長(zhǎng)點(diǎn)。

龍鼎投資總經(jīng)理姚鵬也認(rèn)為，安建半導(dǎo)體能夠在國內(nèi)落地，適應(yīng)了時(shí)代向汽車電動(dòng)化以及新能源發(fā)展的方向，更彌補(bǔ)了行業(yè)的不足。

君盛投資管理有限公司董事總經(jīng)理鄧立軍表示，國家“雙碳”戰(zhàn)略背景下，光伏新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制等行業(yè)對(duì)功率半導(dǎo)體的需求持續(xù)旺盛，IGBT、MOSFET等功率半導(dǎo)體具有非常廣闊的成長(zhǎng)空間。供應(yīng)鏈國產(chǎn)化的契機(jī)，為國內(nèi)真正有技術(shù)實(shí)力的創(chuàng)業(yè)公司提供了絕佳的機(jī)會(huì)。

尾注：

【1】截止指的是電流不導(dǎo)通。

【2】當(dāng)工作電壓小于擊穿電壓時(shí)，功率器件正常工作；超出擊穿電壓時(shí)，功率器件失效。

【3】功率等于電壓的平方比上電阻，在電壓小的情況下，就需要MOS管的阻抗更低。

【4】技術(shù)節(jié)點(diǎn)越高，IGBT的開發(fā)難度越大。

【5】虛擬IDM指的是通過綁定合作，提前鎖定晶圓制造廠產(chǎn)能的一種新IDM模式。