公司簡(jiǎn)介

安建科技有限公司 (JSAB Technologies Limited) 是一所專門從事功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及銷售的高科技公司。安建科技集團(tuán)總部位于中國(guó)香港，并在廣東省深圳市和中山···

關(guān)于安建 2021-11-12 17652 12

IGBT模塊

安建科技推出的IGBT采用先進(jìn)的溝槽-場(chǎng)截止型(Trench-FS)結(jié)構(gòu)，由安建科技自主研發(fā)并掌握相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)。采用”Taiko”薄片晶圓加工技術(shù)，創(chuàng)新的精細(xì)溝槽結(jié)構(gòu)，降低芯片導(dǎo)通及···

產(chǎn)品中心 2021-11-11 44564 79

創(chuàng)始人簡(jiǎn)介

安建科技創(chuàng)始人–單建安教授背景:加拿大多倫多大學(xué)電機(jī)工程學(xué)學(xué)士、碩士及博士香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程學(xué)系教授美國(guó)電子電氣工程師學(xué)會(huì)院士(IEEE Fellow)主要經(jīng)歷:業(yè)內(nèi)···

關(guān)于安建 2021-11-11 17094 12

IGBT單管

安建科技推出的IGBT采用先進(jìn)的溝槽-場(chǎng)截止型(Trench-FS)結(jié)構(gòu)，由安建科技自主研發(fā)并掌握相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)。采用”Taiko”薄片晶圓加工技術(shù)，創(chuàng)新的精細(xì)溝槽結(jié)構(gòu)，降低芯片導(dǎo)通及···

產(chǎn)品中心 2021-11-10 32383 166

企業(yè)文化

安建科技致力于成為大中華區(qū)技術(shù)上最頂尖的功率半導(dǎo)體元器件企業(yè)

關(guān)于安建 2021-11-10 12143 12

安建科技有限公司

地址：香港沙田科學(xué)園科技大道西16號(hào)16W大樓912-913室電話：+852-3611 7567傳真：+852-3613 0728郵箱：sales@jsab.com.hk

聯(lián)系我們 2021-11-09 11924 12

SGT-MOS

安建科技推出的SGT-MOSFET采用國(guó)際先進(jìn)的工藝技術(shù)，由安建科技自主研發(fā)設(shè)計(jì)，由頂尖晶圓代工廠加工制造，目前已開(kāi)發(fā)出25V~100V的SGT-MOS平臺(tái)，正在開(kāi)發(fā)150V SGT-MOS平臺(tái)。安···

產(chǎn)品中心 2021-11-09 34215 67

JSAB IGBT產(chǎn)品可靠性

JSAB IGBT 通過(guò)采用獨(dú)特的耐壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，確保產(chǎn)品可靠性達(dá)到國(guó)際一流水平。JSAB 650V 及 1200V IGBT 芯片均已通過(guò)業(yè)內(nèi)最高標(biāo)準(zhǔn)的 175℃, 1000小時(shí)高溫反偏 (HTRB、HTGB) 老···

產(chǎn)品技術(shù) 2021-11-08 7741 112

SJ-MOS

安建科技現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出600V~650V耐壓等級(jí)超級(jí)結(jié)(Super-junction , SJ) MOSFET ，由安建科技自主研發(fā)設(shè)計(jì)并掌握相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，采用深溝槽工藝，為國(guó)內(nèi)目前元胞尺寸最小的SJ-MOS···

產(chǎn)品中心 2021-11-08 25438 13

JSAB SGT-MOS UIS 性能

JSAB 型號(hào)：JMM5770N 規(guī)格：40V/1.4mΩmax(@Vgs=10V)，如上圖，JMM5770N雪崩電壓可達(dá)~60V，并可以安全通過(guò)200us以上動(dòng)態(tài)雪崩測(cè)試，體現(xiàn)出很好的雪崩耐量能力，非常適合用于···

產(chǎn)品技術(shù) 2021-11-07 6984 12