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技術支持
專注功率半導體器件的研發設計制造及提供完整的解決方案
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08
2021-11
JSAB IGBT產品可靠性
JSAB IGBT 通過采用獨特的耐壓結構設計,確保產品可靠性達到國際一流水平。JSAB 650V 及 1200V IGBT 芯片均已通過業內最高標準的 175℃, 1000小時高溫反偏 (HTRB、HTGB) 老化加速可靠性測試 。
JSAB
IGBT
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07
2021-11
JSAB SGT-MOS UIS 性能
JSAB 型號:JMM5770N 規格:40V/1.4mΩmax(@Vgs=10V),如上圖,JMM5770N雪崩電壓可達~60V,并可以安全通過200us以上動態雪崩測試,體現出很好的雪崩耐量能力,非常適合用于Power tools、SMPS等應用。
JSAB
SGT-MOS
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05
2021-11
安建JSAB IGBT在工業變頻的應用案例
產品測試結果:9kW變頻器溫升對比測試,測試條件:9kW工況,載波頻率5kHz,穩定后逐步增加負載至110%、120%,環溫16℃在相同工況條件下,JSAB IGBT可以實現比某國外知名品牌對應型號產品更低的溫升,這是得益于JSAB IGBT更低的導通和開關損耗。
JSAB
IGBT
工業變頻
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04
2021-11
安建JG1B35P120FG2在伺服驅動的應用案例
應用:6A 伺服驅動器應用,JSAB型號:JG1B35P120FG2,測試條件:6A/9A工況下,載波頻率16kHz,進行溫升測試。在相同工況條件下,JSAB PIM模塊在同條件下測試溫升比某國外知名品牌同規格低3℃以上,表現出更好的溫升特性以及耐用性。
JSAB
IGBT
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03
2021-11
安建科技JHH40N120HA在工業電焊上的應用案例
應用:10kW 工業電焊機 JSAB型號:JHH40N120HA;JHH40N120HA對比某國外知名品牌同規格產品,JHH40N120HA的導通及開關損耗都要低,實際測試溫升低10%; 2、得益于安建先進的芯片設計技術,可以實現更高的系統效率和更低的溫升。
JSAB
IGBT
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02
2021-11
安建科技SGT-MOS在DC-DC 轉換應用案例
JSAB 型號:JMM4716+JMM4812N,工作頻率:400kHz,輸出電流:20A,得益于先進的SGT產品設計,安建科技的SGT-MOS 可以實現更低的Ciss+Coss,在高頻PWM工作條件下系統效率可以得到更好的提升。
JSAB
SGT-MOS
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0755-2267 0460
sales@jsab-tech.com
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