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SiC-Diode

  • 低導通壓降

  • 無反向恢復電荷

  • 高抗浪涌能力

  • 高雪崩耐量

  • 高可靠性

安建科技現已開發出1200V耐壓等級碳化硅二極管(SiC diode),由安建科技自主研發設計并掌握相關知識產權,采用獨特的元胞和終端設計,實現了導通壓降(VF)和擊穿電壓(BV)間更好的折中,同時,擁有更好的抗浪涌能力,雪崩耐量和可靠性。

基于SiC diode導通壓降低,反向恢復電荷少的特點,其主要應用于通信電源、服務器電源,電動汽車,充電樁,光伏等。

ProductPackageVRRMIFQcIFSMDatasheet
VAnCA
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JDH20B120PJTO-247120010121135
JDP20B120PJTO-220120010121135

600V SiC diode: In Progress.

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