安建半導體推出第二代30V極低電阻DFN系列MOSFET，共創高頻高效新紀元安建半導體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產品平臺，融合國內尖端技術與設計，開創功率密度新高度，在開關特性和導通電阻等關鍵參數方面達到···

安建半導體(JSAB) 繼年初推出業界領先的150V SGT MOSFET 產品平臺，同年已將中高壓平臺擴充至120V 及200V，平臺沿用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，實現了高效的能源轉換和低能耗操作。年初推···

近年來，工業及消費市場對于系統的要求不斷提高，為達到更優秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔當著非常重要的角色。安建半導體為滿足不斷發展及增長的解決方案需求，除了在傳統直插式封裝，如TO-2···

產品介紹安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產品的卓越性能和可靠性，在國內領先的碳化硅晶圓代工廠流片，產能充裕，供應穩定，性價比高。產品特點 ● 開關速度快 ●柵極···

安建半導體(JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高應用系統的整體效率，更能降低能···

新品推介750V-340A IGBTJSAB正式推出兼容國外一流品牌的TPAK封裝的750V-340A IGBT，產品外觀、內部電路拓撲及封裝外形尺寸如下圖所示：產品特點● 第7代溝槽-場截止設計，實現更低的VCE(sat)● 低開關損耗● 最高結溫···

新品推介1200V-900A 模塊JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EconoDual3和62mm封裝的1200V-900A模塊，產品型號為 JGAQ900F120DM和JG1G900F120DM。產品采用JSABAQ-Pack和1G-Pack封裝，產品外觀、內部電路拓撲以及封裝外形···

新品推介1000V-600A ANPC 三電平模塊JSAB正式推出兼容國外一流品牌的Flow S3封裝的1000V-600A模塊，產品型號為 JG2R600AL100HG_B3和JG2R600AL100HG_B4。產品采用JSAB 2R-Pack封裝，產品外觀、內部電路拓撲以及POD如下···