安建半導(dǎo)體推出第二代30V極低電阻DFN系列MOSFET，共創(chuàng)高頻高效新紀(jì)元安建半導(dǎo)體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，融合國(guó)內(nèi)尖端技術(shù)與設(shè)計(jì)，開創(chuàng)功率密度新高度，在開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵參數(shù)方面達(dá)到···

安建半導(dǎo)體(JSAB) 繼年初推出業(yè)界領(lǐng)先的150V SGT MOSFET 產(chǎn)品平臺(tái)，同年已將中高壓平臺(tái)擴(kuò)充至120V 及200V，平臺(tái)沿用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作。年初推···

近年來(lái)，工業(yè)及消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)于系統(tǒng)的要求不斷提高，為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。安建半導(dǎo)體為滿足不斷發(fā)展及增長(zhǎng)的解決方案需求，除了在傳統(tǒng)直插式封裝，如TO-2···

產(chǎn)品介紹安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價(jià)比高。產(chǎn)品特點(diǎn) ● 開關(guān)速度快 ●柵極···

安建半導(dǎo)體(JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高應(yīng)用系統(tǒng)的整體效率，更能降低能···

新品推介750V-340A IGBTJSAB正式推出兼容國(guó)外一流品牌的TPAK封裝的750V-340A IGBT，產(chǎn)品外觀、內(nèi)部電路拓?fù)浼胺庋b外形尺寸如下圖所示：產(chǎn)品特點(diǎn)● 第7代溝槽-場(chǎng)截止設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)更低的VCE(sat)● 低開關(guān)損耗● 最高結(jié)溫···

新品推介1200V-900A 模塊JSAB正式推出兼容國(guó)外一流品牌的EconoDual3和62mm封裝的1200V-900A模塊，產(chǎn)品型號(hào)為 JGAQ900F120DM和JG1G900F120DM。產(chǎn)品采用JSABAQ-Pack和1G-Pack封裝，產(chǎn)品外觀、內(nèi)部電路拓?fù)湟约胺庋b外形···

新品推介1000V-600A ANPC 三電平模塊JSAB正式推出兼容國(guó)外一流品牌的Flow S3封裝的1000V-600A模塊，產(chǎn)品型號(hào)為 JG2R600AL100HG_B3和JG2R600AL100HG_B4。產(chǎn)品采用JSAB 2R-Pack封裝，產(chǎn)品外觀、內(nèi)部電路拓?fù)湟约癙OD如下···