新品推介1000V-600A ANPC 三電平模塊JSAB正式推出兼容國(guó)外一流品牌的Flow S3封裝的1000V-600A模塊，產(chǎn)品型號(hào)為 JG2R600AL100HG_B3和JG2R600AL100HG_B4。產(chǎn)品采用JSAB 2R-Pack封裝，產(chǎn)品外觀、內(nèi)部電路拓?fù)湟约癙OD如下···

新品推介1000V-400A ANPC 三電平模塊JSAB正式推出兼容國(guó)外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1000V-400A模塊，產(chǎn)品型號(hào)為 JG3R400AL100HT。產(chǎn)品采用JSAB 3R-Pack封裝，產(chǎn)品外觀、內(nèi)部電路拓?fù)湟约癙OD如下圖所示：產(chǎn)品特點(diǎn)●···

背景介紹依托于光刻機(jī)的光罩（Litho）工藝是半導(dǎo)體芯片加工流程中的核心工藝，光罩的層數(shù)是影響半導(dǎo)體芯片工藝復(fù)雜度及加工成本的關(guān)鍵指標(biāo)。當(dāng)代溝槽-場(chǎng)截止型IGBT一般采用9-10層光罩進(jìn)行加工。安建早于2019年即在國(guó)···

安建半導(dǎo)體成功地參加了PCIM Asia 2023展會(huì)，并圓滿結(jié)束。這一展會(huì)是一次難得的機(jī)會(huì)，讓安建半導(dǎo)體展示其最新的創(chuàng)新性產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。 在展會(huì)期間，安建半導(dǎo)體展示了多款優(yōu)秀的IGBT, MOSFET, SiC等產(chǎn)品，充分展···

1200V-150A/225A/300A儲(chǔ)能用三電平模塊 JSAB正式推出兼容國(guó)外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1200V-150A/225A/300A模塊，產(chǎn)品型號(hào)分別為：JG1R150NL120HG、JG1R225NL120HG和JG1R300NL120HG。三款產(chǎn)品均采用JSAB 1R-Pack···

新品推介1200V-140A TO-247Plus-4L IGBT 單管JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示：產(chǎn)品特點(diǎn)● 與國(guó)外競(jìng)品相比實(shí)現(xiàn)更低的VCE(sat)···

香港的高等學(xué)府微電子研究一直出色，不少領(lǐng)先國(guó)際。由香港的微電子初創(chuàng)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體已應(yīng)用在高鐵、電動(dòng)汽車(chē)、新能源、工業(yè)控制、5G基站、電能轉(zhuǎn)換、綠色家電、消費(fèi)電子等，可見(jiàn)港發(fā)展微電子機(jī)遇無(wú)限。 港初創(chuàng)安建科技···

JSAB正式推出兼容國(guó)外一流進(jìn)口品牌的Econodual3和62mm封裝的1200V-600A/450A大功率模塊，產(chǎn)品型號(hào)分別為：JG1Q600F120DT2，JG1G600F120DT2，JG1Q450F120DG2，JG1G450F120DG2