安建首發(fā)-七層光罩12英寸第七代IGBT

依托于光刻機(jī)的光罩（Litho）工藝是半導(dǎo)體芯片加工流程中的核心工藝，光罩的層數(shù)是影響半導(dǎo)體芯片工藝復(fù)雜度及加工成本的關(guān)鍵指標(biāo)。當(dāng)代溝槽-場(chǎng)截止型IGBT一般采用9-10層光罩進(jìn)行加工。安建早于2019年即在國(guó)內(nèi)頂尖8-inch晶圓廠成功開發(fā)并量產(chǎn)了僅采用7層光罩工藝的第七代溝槽-場(chǎng)截止IGBT技術(shù)，是國(guó)內(nèi)第一家量產(chǎn)第七代IGBT的國(guó)產(chǎn)廠家，并完全擁有相關(guān)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

近期，安建將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉(zhuǎn)移至國(guó)內(nèi)頂級(jí)12-inch IGBT加工平臺(tái)，也是國(guó)內(nèi)首家推出基于7層光罩工藝的12-inch第七代IGBT的國(guó)產(chǎn)廠家。此項(xiàng)技術(shù)突破表征了安建在國(guó)內(nèi)IGBT芯片及加工工藝設(shè)計(jì)方面的雙重技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。