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應(yīng)用案例
專注功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)設(shè)計(jì)制造及提供完整的解決方案
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應(yīng)用案例
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應(yīng)用案例
05
2021-11
安建JSAB IGBT在工業(yè)變頻的應(yīng)用案例
產(chǎn)品測試結(jié)果:9kW變頻器溫升對比測試,測試條件:9kW工況,載波頻率5kHz,穩(wěn)定后逐步增加負(fù)載至110%、120%,環(huán)溫16℃在相同工況條件下,JSAB IGBT可以實(shí)現(xiàn)比某國外知名品牌對應(yīng)型號產(chǎn)品更低的溫升,這是得益于JSAB IGBT更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗。
JSAB
IGBT
工業(yè)變頻
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04
2021-11
安建JG1B35P120FG2在伺服驅(qū)動的應(yīng)用案例
應(yīng)用:6A 伺服驅(qū)動器應(yīng)用,JSAB型號:JG1B35P120FG2,測試條件:6A/9A工況下,載波頻率16kHz,進(jìn)行溫升測試。在相同工況條件下,JSAB PIM模塊在同條件下測試溫升比某國外知名品牌同規(guī)格低3℃以上,表現(xiàn)出更好的溫升特性以及耐用性。
JSAB
IGBT
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03
2021-11
安建科技JHH40N120HA在工業(yè)電焊上的應(yīng)用案例
應(yīng)用:10kW 工業(yè)電焊機(jī) JSAB型號:JHH40N120HA;JHH40N120HA對比某國外知名品牌同規(guī)格產(chǎn)品,JHH40N120HA的導(dǎo)通及開關(guān)損耗都要低,實(shí)際測試溫升低10%; 2、得益于安建先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率和更低的溫升。
JSAB
IGBT
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02
2021-11
安建科技SGT-MOS在DC-DC 轉(zhuǎn)換應(yīng)用案例
JSAB 型號:JMM4716+JMM4812N,工作頻率:400kHz,輸出電流:20A,得益于先進(jìn)的SGT產(chǎn)品設(shè)計(jì),安建科技的SGT-MOS 可以實(shí)現(xiàn)更低的Ciss+Coss,在高頻PWM工作條件下系統(tǒng)效率可以得到更好的提升。
JSAB
SGT-MOS
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01
2021-11
安建科技SJ-MOS與SGT-MOS在LED電源上的應(yīng)用
在LED電源應(yīng)用拓?fù)渲校J褂貌煌?guī)格MOSFET器件,拓?fù)渲蠵FC-MOS與LLC-MOS可選用600V~650V的SJ-MOS,SR-MOS可選用30V~100V的SGT-MOS器件。由安建科技自主研發(fā)設(shè)計(jì)的SJ-MOS與SGT-MOS均采用國際先進(jìn)的工藝技術(shù),實(shí)現(xiàn)了器件的高性能與高可靠性,搭配多樣的封裝類型,可為客戶提供豐富的選擇。
JSAB
SGT-MOS
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