安建科技SJ-MOS與SGT-MOS在LED電源上的應用

在LED電源應用拓撲中，常使用不同規格MOSFET器件，拓撲中PFC-MOS與LLC-MOS可選用600V~650V的SJ-MOS，SR-MOS可選用30V~100V的SGT-MOS器件。由安建科技自主研發設計的SJ-MOS與SGT-MOS均采用國際先進的工藝技術，實現了器件的高性能與高可靠性，搭配多樣的封裝類型，可為客戶提供豐富的選擇。